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功能电路

一、线性电阻电路

线性电阻电路由电阻、独立源、受控源、电容、电感等线性元件构成,满足叠加定理和齐次性。

1. 分压器

结构

两个或多个电阻串联,输入电压加在串联支路两端,输出电压取自其中某个电阻两端。

Vin ── R1 ──┬── Vout R2 GND ────────┴────

分压公式:

Vout = Vin × R2/(R1 + R2)

多级分压:

Vk = Vin × Rk / ΣR

特性

  • 输出电压始终小于输入电压(无源网络,无增益)。
  • 分压比由电阻比值决定,与绝对值无关。
  • 负载接入后会改变等效分压比,需考虑负载效应。负载电阻与 R2 并联,实际分压降低。
  • 频率响应取决于寄生参数,纯阻性分压器无频率选择性。

功能应用

  • 电压缩放:将大信号衰减至后级可接受范围。
  • 偏置电压生成:为晶体管或运放提供直流参考电平。
  • 量程扩展:电压表扩大量程。
  • 反馈网络:在同相放大器中设定增益 Av = 1 + Rf/Rg

2. 衰减器

结构

衰减器是以固定比例减小信号幅度的电阻网络,常见结构有 T 型、π 型等。与简单分压器不同,衰减器通常设计为双向匹配——输入阻抗和输出阻抗均等于系统特性阻抗(如 50Ω、75Ω)。

T 型衰减器:

Vin ── R1 ──┬── R2 ── Vout R3 GND ────────┴───────── GND

π 型衰减器:

Vin ────┬───R3───┬─── Vout R1 R2 GND ────┴────────┴─── GND

特性

  • 衰减量以 dB 表示,固定衰减器提供恒定衰减比。
  • 阻抗匹配:输入输出阻抗设计为系统特性阻抗,级联时不产生反射。
  • 与简单分压器不同,衰减器在任何端口看入的等效电阻均为设计值。
  • 纯阻性,无频率选择性(实际高频受寄生参数限制)。

功能应用

  • 信号幅度调整:将强信号衰减至测量设备或后级电路的可接受范围。
  • 阻抗匹配:在射频和通信系统中保证最大功率传输。
  • 级间隔离:减小后级负载变化对前级的影响。
  • 步进衰减器:用于仪器中的可编程增益控制。

3. 电桥

结构

电桥由四个电阻(或阻抗)构成菱形结构,输入加在其中一条对角线上,输出取自另一条对角线。最经典的是惠斯通电桥:

┌── R1 ──┬── R2 ──┐ Vin ───┤ R5 ├─── GND └── R3 ──┴── R4 ──┘ Vout (+/-)

特性

  • 平衡条件:当 R1/R3 = R2/R4(或 R1·R4 = R2·R3)时,电桥平衡,输出电压为零。
  • 平衡状态与电源电压无关,仅由电阻比值决定。
  • 灵敏度在平衡点附近最高,微小电阻变化产生可检测的输出电压。
  • 差分输出天然抑制共模干扰(如温度漂移、电源波动)。
  • 可使用交流激励和交流阻抗构成交流电桥。

功能应用

  • 精密电阻测量:未知电阻接入桥臂,调节已知电阻至平衡,由比值计算未知值。
  • 传感器读出电路:应变片、热敏电阻、压敏电阻等传感器接入桥臂,将微小物理量变化转化为差分电压。常用半桥(1 个传感器 + 1 个参考)或全桥(4 个传感器)。
  • 故障检测:通过监测电桥平衡状态判断线路或器件异常。
  • 交流电桥用于测量未知电感或电容。

4. 放大器(线性受控源模型)

结构

在线性电路层面,放大器抽象为受控源(dependent source),即一个端口的电压或电流控制另一个端口的电压或电流。四种基本受控源:

类型 全称 控制量 被控量 符号
VCVS 压控压源 v1 v2 = μ·v1 电压放大器
VCCS 压控流源 v1 i2 = gm·v1 跨导放大器
CCCS 流控流源 i1 i2 = β·i1 电流放大器
CCVS 流控压源 i1 v2 = rm·i1 跨阻放大器

特性

  • 受控源是非互易元件——输入影响输出,但输出不影响输入(理想情况下)。
  • 含受控源的网络可以是有源的(可向外提供能量),因为被控支路能量来自独立电源。
  • 受控源在叠加定理中不能置零——它不是独立激励,而是网络内部关系的体现。
  • 求戴维南/诺顿等效电阻时,受控源必须保留,用测试源法 Rth = Vtest/Itest
  • 受控源构成晶体管小信号模型、运放模型和反馈网络的统一数学语言。

功能应用

  • 构建放大器小信号等效电路(BJT 的 β·ib、MOS 的 gm·vgs)。
  • 模拟理想运放(VCVS,增益趋近无穷)。
  • 构建理想变压器、回旋器等阻抗变换器的数学模型。
  • 反馈分析中将反馈网络建模为受控源。

5. 变压器

结构

变压器由两个(或多个)耦合线圈绕在同一磁芯上构成,通过互感实现能量传输。端口分别为一次侧(初级)和二次侧(次级)。

耦合系数 k = M/√(L1·L2) 理想变压器:k = 1, L1, L2 → ∞

理想变压器关系:

v2/v1 = n2/n1 = n (匝数比) i2/i1 = -1/n Zin = (1/n²)·ZL (阻抗变换)

特性

  • 电压变换:二次电压 = 一次电压 × 匝数比。
  • 电流变换:二次电流 = 一次电流 / 匝数比(方向相反)。
  • 阻抗变换:从一次侧看入,负载阻抗被放大或缩小 1/n² 倍。
  • 理想变压器不储存能量、不消耗能量,瞬时功率一次侧 = -二次侧。
  • 电气隔离:一次和二次之间无直接电气连接。
  • 实际变压器有漏感、磁化电感、绕组电阻、磁芯损耗等非理想因素。

功能应用

  • 电压等级变换:电力系统中升压(减少传输损耗)和降压(安全供电)。
  • 阻抗匹配:射频和音频电路中使负载阻抗与源阻抗匹配,实现最大功率传输。例如扬声器匹配、天线匹配。
  • 电气隔离:隔离一次侧和二次侧,提高安全性,消除地环路干扰。
  • 平衡-不平衡转换(Balun):将平衡信号(差分)转换为不平衡信号(单端),或反之。
  • 信号耦合:在放大器中用于级间耦合。

6. 回旋器

结构

回旋器是一种有源二端口网络,利用受控源(或运放/跨导器)实现阻抗反转。其端口关系为:

i1 = +G·v2 i2 = -G·v1

在端口 2 接负载 ZL 时,端口 1 看入的等效阻抗为:

Zin = v1/i1 = 1/(G²·ZL)

若负载为电容 C,等效输入阻抗为:

Zin = 1/(G²·(1/jωC)) = jωC/G² → 等效电感 Leq = C/G²

特性

  • 阻抗反转:容性负载等效为感性输入,感性负载等效为容性输入,电阻等效为电导。
  • 与变压器不同,回旋器是非互易器件——其 Y 矩阵反对称(y12 = G, y21 = -G)。
  • 可将电容"转换"为等效电感,实现无电感的有源滤波器。
  • 回旋器需要电源供电,含有有源器件(运放或跨导器)。
  • 实际受限因素:运放的增益带宽积、输出摆幅、噪声和稳定性。

功能应用

  • 集成电路中模拟电感:IC 工艺中无法制造大电感(面积大、Q 值低),用回旋器 + 电容实现等效大电感。
  • 有源滤波器:用回旋器-C 结构实现 LC 滤波器原型,无需实际电感。
  • 阻抗匹配网络:将容性负载转换为感性,或反之。
  • 振荡器:回旋器与电容构成等效 LC 谐振回路。

7. 环行器

结构

环行器是多端口(通常三端口或四端口)非互易器件,信号沿特定方向环行传输。理想三端口环行器:

信号流向:端口 1 → 端口 2 → 端口 3 → 端口 1 反向隔离:端口 2 → 端口 1 不通

其散射矩阵(S 参数)为:

┌ 0 0 1 ┐ S = │ 1 0 0 │ └ 0 1 0 ┘

特性

  • 非互易性:正向传输、反向隔离。这是环行器最核心的特性,通常利用铁氧体材料的旋磁效应或有源电路实现。
  • 各端口通常匹配至系统特性阻抗。
  • 无源铁氧体环行器不消耗电源能量(除插入损耗外)。
  • 有源环行器(用运放实现)带宽受有源器件限制。
  • 多用于射频电路(s矩阵)。

功能应用

  • 双工器(Duplexer):在雷达和无线通信中,发射机和接收机共用一副天线。发射信号从端口 1 到天线(端口 2),接收信号从天线(端口 2)到接收机(端口 3),收发隔离。
  • 隔离器(Isolator):将环行器的一个端口接匹配负载,实现信号单向传输,保护前级(如放大器)免受反射损坏。
  • 反射放大器:在端口 2 接负阻器件(如隧道二极管),信号从端口 1 进入、被负阻放大后从端口 3 输出。
  • 射频测量系统:在矢量网络分析仪中用于分离入射和反射信号。

二、非线性电阻电路

非线性电阻电路包含伏安特性为非线性的器件(二极管、晶体管等),不满足叠加定理。

1. 整流器

结构

基于二极管的单向导电性,将交流电转换为单向脉动直流。三种基本结构:

半波整流

AC ── 二极管 → 负载 RL ── GND 仅利用正半周,负半周被二极管阻断。

全波整流(中心抽头)

┌── 二极管 D1 ──┐ AC ───┤ 中心抽头 ├── 负载 RL ── GND └── 二极管 D2 ──┘

利用变压器等将单端信号转为双端信号,两个半周期分别由 D1、D2 导通。

桥式整流

AC ──┬──────────┬──── D1 D2 ├── RL ──┤ D4 D3 GND ──┴──────────┴────

无需中心抽头,四个二极管轮流导通。

电容滤波:负载并联大电容,在峰值附近快速充电(二极管导通),在谷值区间电容向负载慢放电,减小纹波。

特性

  • 利用二极管指数 I-V 特性的单向导电性:正向导通(低阻抗)、反向截止(高阻抗)。
  • 输出波形为脉动直流,含有直流分量 + 交流纹波。
  • 纹波频率:半波 = 输入频率,全波/桥式 = 输入频率 ×2。
  • 电容滤波纹波近似值:ΔV ≈ Iload/(fripple·C)。电容越大、负载电流越小、纹波频率越高,纹波越小。
  • 二极管有正向压降损耗(硅管约 0.7V,桥式有两只串联所以约 1.4V),在低压应用中不可忽略。
  • 实际二极管有反向恢复时间,高频时整流效率下降。

功能应用

  • AC-DC 电源转换:几乎所有电子设备电源的输入级。
  • 峰值检波/包络检波:AM 收音机中提取音频调制信号。
  • 倍压整流:通过多级二极管-电容网络将交流电压倍增到数倍峰值。
  • 过压保护:利用二极管钳位将输入限制在安全范围。

2. 放大器(晶体管放大器)

结构

晶体管(MOSFET 或 BJT)在合适直流偏置下工作于饱和区/有源区,将直流电源能量转换为受输入信号控制的交流输出。基本结构包括:

  • 偏置网络:提供静态工作点(分压偏置 + 发射极/源极电阻负反馈)。
  • 耦合电容:隔离直流偏置,只传输交流信号(隔直通交)。
  • 旁路电容:在中频段短路发射极/源极电阻,消除负反馈以提高增益。
  • 负载:电阻负载或有源负载。

三种基本放大组态:

组态 BJT MOS 输入-输出-公共端
共射/共源 CE CS 基极/栅极 — 集电极/漏极 — 发射极/源极
共基/共栅 CB CG 发射极/源极 — 集电极/漏极 — 基极/栅极
共集/共漏 CC CD 基极/栅极 — 发射极/源极 — 集电极/漏极

特性

分析方法:直流分析(求 Q 点)→ 判断工作区 → 小信号 AC 分析(Q 点处线性化)。

组态 电压增益 输入阻抗 输出阻抗 相位 频率特性
CE/CS 高 (~-gm·RL) 中等 较高 反相 米勒效应显著
CB/CG 高 (~+gm·RL) 低 (~1/gm) 同相 高频性能好,米勒效应弱
CC/CD 约 1 (~gm·RL/(1+gm·RL)) 同相 宽带

发射极/源极电阻引入局部串联负反馈: - 增益降低:gmf = gm/(1 + gm·RE) - 线性度提高、偏置稳定性提高 - 输入阻抗提高(串联反馈效果) - 旁路电容在中频将此电阻短路,恢复高增益

大信号放大器(功率放大)分类:

类别 导通角 效率 线性度 特点
A 类 360° 低 (~25%) 全周期导通,静态功耗大
B 类 180° 较高 (~78.5%) 有交越失真 两管各导通半周
AB 类 180°–360° 较高 较好 略大于半周,抑制交越失真
推挽 取决于偏置 一管拉高、一管拉低

功能应用

  • 电压放大:CE/CS 组态,适用于前级信号放大。
  • 功率放大:AB 类推挽,驱动扬声器、天线等大负载。
  • 缓冲/阻抗变换:CC/CD(跟随器),高阻输入、低阻输出,隔离前后级。
  • 高频/宽带放大:CB/CG 组态,米勒效应小。
  • 低噪声放大(LNA):射频接收前端。
  • 差分放大:集成运放输入级,抑制共模干扰。

3. 电流镜

结构

电流镜利用两只匹配晶体管的 VGS(或 VBE)相同来复制电流。基本结构:

MOS 电流镜

Iref ──┬── M1 漏极(二极管连接,VDS=VGS) │ M1 栅极 ─── M2 栅极 │ M1 源极 ─── M2 源极 ── GND └── M2 漏极 → 输出电流 Iout

M1 为二极管连接(栅漏短接),将参考电流转化为 VGS;M2 受相同的 VGS 驱动,若 M1 和 M2 匹配且均在饱和区,则 Iout ≈ Iref × (W/L)₂/(W/L)₁

BJT 电流镜

同理,两个 BJT 的 VBE 相同,Iout ≈ Iref(忽略基极电流),常加发射极退化电阻提高精度。

特性

  • 理想复制比由晶体管尺寸比(W/L)决定,与温度和电源电压无关(一阶近似)。
  • 输出电流在一定范围内与输出电压无关(高输出阻抗),近似理想恒流源。
  • 非理想来源:
  • 沟道长度调制(MOS)/ Early 效应(BJT):输出电流随 VDS/VCE 变化,输出阻抗有限。ro ≈ 1/(λ·ID)ro ≈ VA/IC
  • 阈值失配:工艺偏差导致实际 VTH 不同。
  • 尺寸误差:光刻精度限制。
  • 温度梯度:两只管子若位置不同,温度差导致电流失配。
  • 输出电压不足:输出管必须保持在饱和区/有源区。

功能应用

  • 偏置电流源:为差分对、共源放大器等提供稳定的直流偏置电流。
  • 有源负载:用电流镜替代电阻负载,提高放大器的等效负载阻抗,从而大幅提高电压增益。
  • 多路输出电流源:一个参考电流可镜像到多个输出支路,各处电流由尺寸比设定。
  • 电平移位:在 IC 内部将信号电平从一端转移到另一端。

4. 运算放大器(运放/OPA)

结构

运放是高增益差分输入、单端输出的集成电路。理想运放内部结构层次:

差分输入级 → 高增益中间级 → 输出缓冲级 (差分对) (共源/共射放大) (推挽跟随器)

标准符号:两个输入端(同相 +、反相 -)、一个输出端、正负电源。

理想运放假设

  • 开环电压增益 Aol → ∞
  • 输入阻抗 Rin → ∞(输入端电流为零)
  • 输出阻抗 Rout → 0
  • 带宽无限、无失调、无噪声

特性

  • 线性负反馈下满足虚短v+ ≈ v-)和虚断i+ ≈ i- ≈ 0)。
  • 虚短前提:负反馈 + 运放未饱和到电源轨 + 工作频率在可用带宽内。
  • 正反馈、开环比较器、输出饱和时不可用虚短,虚断仍然成立。
  • 实际运放非理想因素:有限开环增益(有限闭环精度)、有限增益带宽积(GBW)、有限压摆率(SR,限制大信号速度)、输入失调电压/电流、输入共模范围、输出摆幅限制、噪声。

经典电路

电路 增益公式 输入阻抗 特点
反相放大 Av = -Rf/Rin ≈ Rin 反相,输入阻抗由 Rin 决定
同相放大 Av = 1 + Rf/Rg 很高 同相,高输入阻抗
电压跟随器 Av ≈ 1 极高 缓冲隔离
差分放大 Vo = (Rf/R₁)(V₂-V₁) 取决于电阻 抑制共模
加法器 Vo = -Rf·Σ(Vi/Ri) 多路信号加权求和
积分器 Vo = -1/(RC)·∫Vi dt 时域积分
微分器 Vo = -RC·dVi/dt 时域微分

功能应用

  • 信号放大与调理。
  • 有源滤波器:用运放 + RC 实现低通、高通、带通、带阻,无需电感。
  • 模拟运算:加法、减法、积分、微分。
  • 仪器放大器:高精度差分放大用于传感器信号调理。
  • 电压基准和稳压。
  • 比较器(开环使用,见下文)。

5. 缓冲器

结构

缓冲器(电压跟随器)在输入和输出之间提供单位电压增益和阻抗变换。两种常见实现:

晶体管跟随器(共集/共漏)

VCC ── RC(可选) ── 集电极(输出) Vin ── 基极 发射极 ── RE ── GND └── Vout

运放电压跟随器

Vin ── 同相端(+) ┌── 反相端(-) ← 输出直接反馈 │ 输出 ── Vout

特性

  • 电压增益约等于 1,略小于 1(共集跟随器:Av ≈ gm·RL/(1+gm·RL);理想运放跟随器:Av = 1)。
  • 输入阻抗极高(共集:Rin ≈ rπ + (1+β)RE;运放跟随器:等于运放输入阻抗 × (1+环路增益))。
  • 输出阻抗极低(共集:Rout ≈ 1/gm 量级;运放跟随器:接近零)。
  • 不反相。
  • 带宽宽,适合宽带应用。

功能应用

  • 阻抗变换:连接高阻抗源与低阻抗负载,消除负载效应。例如将高阻传感器信号送入低阻 ADC 输入。
  • 级间隔离/缓冲:在多级放大器中插入跟随器,避免后级输入阻抗加载前级,从而使各级增益独立。
  • 增大驱动能力:低输出阻抗可驱动较重的负载(如长电缆、低阻负载)。
  • 电平移位:BJT 射极跟随器提供约 0.7V 直流电平下移。

6. 比较器

结构

比较器比较两个输入电压,输出表示大小关系的高/低电平。可通过运放开环使用或专用比较器芯片实现。

V+ ────┐ ├── 比较器 ── Vout (高电平 or 低电平) V- ────┘

施密特触发器(带正反馈的比较器,有滞回):

正反馈形成两个阈值:上阈值 VTH+ 和下阈值 VTH-

特性

  • 输出为二值逻辑(接近正电源轨或负电源轨),而不是对输入的线性放大。
  • 理想比较器增益无限大,输出电压切换在输入差值过零瞬间完成。
  • 无滞回比较器:对噪声敏感,输入信号在阈值附近有噪声时会反复翻转。
  • 有滞回比较器(施密特触发器)
  • 具有两个不同的翻转阈值。
  • 输入上升时,在较高的上阈值(VTH+)翻转。
  • 输入下降时,在较低的下阈值(VTH-)翻转。
  • 两个阈值之差 = 滞回宽度,可抑制噪声引起的多次跳变。
  • 具有记忆功能——输出状态不仅取决于当前输入,还取决于历史状态。
  • 实际受限因素:传播延迟(输入变化到输出响应的时间)、输入失调电压。

功能应用

  • 阈值检测:判断信号是否超过或低于某一参考电平。如过压/欠压保护。
  • 过零检测:将正弦波转换为方波。
  • 模数转换(ADC)的组成部分:闪速 ADC 中并行比较器组、逐次逼近 ADC 中的核心比较器。
  • 波形整形:将缓慢变化的模拟信号转换为陡峭的数字边沿。
  • 张弛振荡器:施密特触发器 + RC 充放电网络产生方波/三角波。
  • 按键去抖:利用滞回消除机械开关闭合/断开时的接触抖动。
  • 脉冲宽度调制(PWM):将三角波与参考电压比较产生 PWM 信号。

7. ADC/DAC(模数/数模转换器)

结构

ADC 和 DAC 是模拟信号与数字信号之间的接口电路。

DAC 基本结构

  • 电阻分压型(R-2R 梯形网络):用 R 和 2R 两种阻值的电阻构成梯形网络,各位数字输入控制该位电流是否汇入输出节点。从任一节点看入电阻均为 R,各支路电流按二进制加权。

Vref ──┬─R─┬─R─┬─R─┬───┬─ Vout 2R 2R 2R 2R 2R b3 b2 b1 b0 │ (各位控制开关接 Vref 或 GND) GND ───┴───┴───┴───┴───┴─

  • 电流舵型:二进制加权电流源阵列,数字码直接控制各电流源的通断。
  • Σ-Δ DAC:用过采样和噪声整形实现高分辨率。

ADC 基本结构

  • 闪速 ADC(Flash)2^N-1 个比较器并行工作,每个比较器连接分压电阻串的不同抽头。速度最快但硬件开销指数增长。
  • 逐次逼近 ADC(SAR):DAC + 比较器 + 逐次逼近逻辑,二分搜索逼近输入电压。
  • 积分型/双斜率 ADC:对输入电压固定时间积分,然后反向积分测量放电时间。速度慢但精度高、抗噪声。
  • Σ-Δ ADC:过采样 + 噪声整形 + 数字滤波,高分辨率(可达 24 位)。

特性

  • 分辨率:N 位转换器将满量程分为 2^N 阶。LSB = 满量程 / 2^N。
  • 量化误差:有限位宽引入的固有误差,理想值为 ±0.5 LSB。
  • 采样率:ADC 的转换速度,须满足 Nyquist 定理(fs ≥ 2·fmax)。
  • 积分非线性(INL)/ 微分非线性(DNL):实际传输特性对理想直线的偏离。
  • 信噪比(SNR):理想 N 位 ADC 的 SNR ≈ 6.02N + 1.76 dB。
  • 比较器是 ADC 的核心模块,其失调电压和速度直接影响 ADC 性能。
  • DAC 的 R-2R 网络利用了电阻分压/分流原理,体现了基本线性电阻电路在混合信号系统中的应用。

功能应用

  • DAC:数字音频播放、波形发生器、可编程电压源、显示器驱动、电机控制。
  • ADC:传感器数字化(温度、压力、光强)、音频录音、数据采集系统、仪器仪表、电力监测。
  • ADC/DAC 共同构成闭环控制系统的模拟-数字接口。

附录:快速对照表

电路 线性/非线性 核心器件 标志性特征 典型应用
分压器 线性 电阻 Vout = Vin·R₂/(R₁+R₂) 电压缩放、偏置
衰减器 线性 电阻网络 匹配阻抗 + 固定衰减 信号调理、阻抗匹配
电桥 线性 四电阻菱形 平衡时输出为零 精密测量、传感器
放大器(线性模型) 线性 受控源 非互易、四类受控源 小信号等效、反馈模型
变压器 线性 耦合电感 阻抗变换 1/n²、隔离 变压、匹配、隔离
回旋器 线性 运放/跨导 阻抗反转 等效电感、有源滤波
环行器 线性 铁氧体 非互易环行传输 双工器、隔离器
整流器 非线性 二极管 单向导电、AC→DC 电源转换、检波
放大器(晶体管) 非线性 BJT/MOSFET Q点偏置+小信号增益 信号放大
电流镜 非线性 匹配MOS/BJT 复制电流、高输出阻抗 偏置、有源负载
运放 非线性 集成差分放大器 虚短虚断(负反馈下) 放大、滤波、运算
缓冲器 非线性 跟随器/运放 Av≈1、高入低出 阻抗变换、级间隔离
比较器 非线性 运放/专用比较器 二值输出、滞回 阈值检测、波形整形
ADC/DAC 非线性 比较器+R-2R等 量化误差、分辨率 模数/数模转换